文献
J-GLOBAL ID:202102240901277767
整理番号:21A0228483
並列接続SiC MOSFETの電流共有に及ぼすデバイスパラメータ変動の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of Device Parameter Variability on Current Sharing of Parallel-Connected SiC MOSFETs
著者 (6件):
Nakamura Yohei
(Research and Development Center, ROHM Co., Ltd.,Kyoto,Japan,615-8585)
,
Kuroda Naotaka
(Research and Development Center, ROHM Co., Ltd.,Kyoto,Japan,615-8585)
,
Yamaguchi Atsushi
(Research and Development Center, ROHM Co., Ltd.,Kyoto,Japan,615-8585)
,
Nakahara Ken
(Research and Development Center, ROHM Co., Ltd.,Kyoto,Japan,615-8585)
,
Shintani Michihiro
(Nara Institute of Science and Technology,Graduate School of Science and Technology,Nara,Japan,630-0192)
,
Sato Takashi
(Kyoto University,Graduate School of Informatics,Kyoto,Japan,606-8501)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ATS
ページ:
1-6
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)