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文献
J-GLOBAL ID：202102242566490393
整理番号：21A0992531
異なるアニーリング温度でのDPN処理下の28nmノード高Kゲート誘電体のQ因子性能【JST・京大機械翻訳】
Q-Factor Performance of 28 nm-Node High-K Gate Dielectric under DPN Treatment at Different Annealing Temperatures
Chen Chii-Wen
(Department of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan)
,
Wang Shea-Jue
(Department of Materials and Resources Engineering, National Taipei University of Technology, Taipei 10608, Taiwan)
,
Hsieh Wen-Ching
(Department of Electro-Optical Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan)
,
Chen Jian-Ming
(Department of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan)
,
Jong Te
(Department of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan)
,
Lan Wen-How
(Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 81148, Taiwan)
,
Wang Mu-Chun
(Department of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan)
資料名：
Electronics (Web)
(Electronics (Web))
巻： 9 号： 12 ページ： 2086 発行年： 2020年
JST資料番号： U7178A ISSN： 2079-9292 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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