前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:202102245667819497   整理番号:21A0175377

室温アプローチによる高電子移動度トランジスタ用の(Al)GaNバッファ中の炭素関連トラップエネルギー準位の決定【JST・京大機械翻訳】

Determination of carbon-related trap energy level in (Al)GaN buffers for high electron mobility transistors through a room-temperature approach
著者 (11件):
Chen Xin
(State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology, 5340 Xiping Road, Tianjin 300401, People’s Republic of China)
Zhong Yaozong
(Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China)
Zhou Yu
(Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China)
Gao Hongwei
(Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China)
Zhan Xiaoning
(Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China)
Su Shuai
(Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China)
Guo Xiaolu
(Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China)
Sun Qian
(Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China)
Zhang Zihui
(State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology, 5340 Xiping Road, Tianjin 300401, People’s Republic of China)
Bi Wengang
(State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology, 5340 Xiping Road, Tianjin 300401, People’s Republic of China)
Yang Hui
(Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 117  号: 26  ページ: 263501-263501-7  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。