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文献
J-GLOBAL ID：202102245937575695
整理番号：21A0151804
高速アナログ/RF応用のためのIII-VおよびIII-Nデバイスの材料と欠陥側面【JST・京大機械翻訳】
Materials and Defect Aspects of III-V and III-N Devices for High-Speed Analog/RF Applications
Simoen Eddy
(Imec,Leuven,Belgium,B-3001)
,
Hsu Po-Chun Brent
(KU Leuven,Depart of Materials Eng.,Leuven,Belgium,3001)
,
Yu Hao
(Imec,Leuven,Belgium,B-3001)
,
Wang Hongyue
(Peking University,Depart of Electronics Eng. And Computer Sci.,Beijing,China,10071)
,
Zhao Ming
(Imec,Leuven,Belgium,B-3001)
,
Takakura Kenichiro
(National College of Technology (KOSEN), Kumamoto-College,Kumamoto,Japan)
,
Putcha Vamsi
(Imec,Leuven,Belgium,B-3001)
,
Peralagu Uthayasankaran
(Imec,Leuven,Belgium,B-3001)
,
Parvais Bertrand
(Imec,Leuven,Belgium,B-3001)
,
Waldron Niamh
(Imec,Leuven,Belgium,B-3001)
,
Collaert Nadine
(Imec,Leuven,Belgium,B-3001)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： ICSICT ページ： 1-4 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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