文献
J-GLOBAL ID:202102247212975631
整理番号:21A0763817
近赤外応答を有する電気制御相変化材料によるオプトエレクトロニックメモリデバイス【JST・京大機械翻訳】
Optoelectronic memory device via electrically controlling phase change material with near-infrared response
著者 (2件):
CHEN Hsin-Hua
(National Chiao Tung Univ., TWN)
,
CHEN Kuo-Ping
(National Chiao Tung Univ., TWN)
資料名:
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻:
81st
ページ:
ROMBUNNO.9p-Z16-11
発行年:
2020年08月26日
JST資料番号:
Y0055B
ISSN:
2758-4704
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)