文献
J-GLOBAL ID:202102247495383746
整理番号:21A0004689
低温多結晶シリコントンネル電界効果トランジスタの種々の信頼性研究【JST・京大機械翻訳】
Various Reliability Investigations of Low Temperature Polycrystalline Silicon Tunnel Field-Effect Thin-Film Transistor
著者 (3件):
Ma William Cheng-Yu
(Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Hsu Hui-Shun
(Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Wang Hsiao-Chun
(Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻:
20
号:
4
ページ:
775-780
発行年:
2020年
JST資料番号:
W1320A
ISSN:
1530-4388
CODEN:
ITDMA2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)