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文献
J-GLOBAL ID：202102247597384212
整理番号：21A1712442
650V GaNパワーデバイスにおける応力下のR_on増加に及ぼす基板終端の影響【JST・京大機械翻訳】
Effects of substrate termination on Ron increase under stress in 650 V GaN power devices
Li Feiyu
( School of Microelectronics, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China)
,
Wang Ronghua
( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China)
,
Huang Huolin
( School of Microelectronics, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China)
,
Huang Huolin
( School of Optoelectronic Engineering and Instrumentation Science, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China)
,
Ren Yongshuo
( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China)
,
Ren Guangshan
( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China)
,
Liang Zhuang
( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China)
,
Zhou Fubin
( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China)
,
Cheng Wanxi
( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China)
,
Liang Huinan
( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 54 号： 26 ページ： 265106 (6pp) 発行年： 2021年
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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