前のページに戻るこの文献は全文を取り寄せることができます

JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。

既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方

JDreamⅢ複写サービス
文献複写のお申込み

JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方

学術文献の全文複写をお取寄せ
JDreamⅢ複写サービスのご案内

取り寄せる文献のタイトルと詳細

文献

J-GLOBAL ID：202102247655794543 整理番号：21A0463297

CaKFe_4As_4単結晶における臨界電流密度を増強する平面欠陥の起源の解明【JST・京大機械翻訳】

Elucidating the origin of planar defects that enhance critical current density in CaKFe₄As₄ single crystals

著者 (4件)：

Ichinose Ataru

(Electric Power Engineering Research Laboratory, Central Research Institute of Electric Power Industry, 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka-shi, Kanagawa 240-0196, Japan)

Pyon Sunseng

(Department of Applied Physics, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-Ku, Tokyo 113-8656, Japan)

Tamegai Tsuyoshi

(Department of Applied Physics, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-Ku, Tokyo 113-8656, Japan)

Ishida Shigeyuki

(Research Institute for Advanced Electronics and Photonics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)

資料名：

Superconductor Science and Technology (Superconductor Science and Technology)

巻： 34 号： 3 ページ： 034003 (7pp) 発行年： 2021年
JST資料番号： T0607A ISSN： 0953-2048 CODEN： SUSTEF 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

JDreamⅢ複写サービスとは

JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。

TOP

BOTTOM