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文献
J-GLOBAL ID：202102248359593089
整理番号：21A0596413
数層WSe_2電界効果トランジスタのゲートバイアス不安定性【JST・京大機械翻訳】
Gate-bias instability of few-layer WSe2 field effect transistors
Wen Shaofeng
(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China. cylan@uestc.edu.cn lichun@uestc.edu.cn)
,
Lan Changyong
,
Li Chun
,
Zhou Sihan
,
He Tianying
,
Zhang Rui
,
Zou Ruisen
,
Hu Hao
,
Yin Yi
,
Liu Yong
資料名：
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻： 11 号： 12 ページ： 6818-6824 発行年： 2021年
JST資料番号： U7055A ISSN： 2046-2069 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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