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J-GLOBAL ID:202102248359593089   整理番号:21A0596413

数層WSe_2電界効果トランジスタのゲートバイアス不安定性【JST・京大機械翻訳】

Gate-bias instability of few-layer WSe2 field effect transistors
著者 (10件):
Wen Shaofeng
(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China. cylan@uestc.edu.cn lichun@uestc.edu.cn)
Lan Changyong
Li Chun
Zhou Sihan
He Tianying
Zhang Rui
Zou Ruisen
Hu Hao
Yin Yi
Liu Yong

資料名:
RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))

巻: 11  号: 12  ページ: 6818-6824  発行年: 2021年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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