文献
J-GLOBAL ID:202102248559541112
整理番号:21A0151621
ナノメータ技術のための新しい放射線硬化メモリセル設計【JST・京大機械翻訳】
Novel Radiation Hardened Memory Cell Design for Nanometer Technology
著者 (4件):
Xiao Li-Yi
(Microelectronic center, Harbin Institute of Technology,Harbin,China,150001)
,
Li Hong-Chen
(Microelectronic center, Harbin Institute of Technology,Harbin,China,150001)
,
Li Jie
(Microelectronic center, Harbin Institute of Technology,Harbin,China,150001)
,
Liu He
(Microelectronic center, Harbin Institute of Technology,Harbin,China,150001)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ICSICT
ページ:
1-3
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)