文献
J-GLOBAL ID:202102250154307905
整理番号:21A0984788
GaN電力HEMTの動的破壊電圧【JST・京大機械翻訳】
Dynamic Breakdown Voltage of GaN Power HEMTs
著者 (6件):
Zhang R.
(Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,VA,USA)
,
Kozak J. P.
(Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,VA,USA)
,
Song Q.
(Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,VA,USA)
,
Xiao M.
(Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,VA,USA)
,
Liu J.
(Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,VA,USA)
,
Zhang Y.
(Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,VA,USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
IEDM
ページ:
23.3.1-23.3.4
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)