文献
J-GLOBAL ID:202102250507712138
整理番号:21A0066511
動的アバランシェ電気特性を考慮したFS-IGBTの物理モデルとチップ不均一応力の解析【JST・京大機械翻訳】
Physical Model of FS-IGBT Considering Dynamic Avalanche Electrical Characteristics and Analysis of Chip Non-uniform Stress
著者 (3件):
Ma Tianzhao
(Naval University of Engineering, National key Laboratory of Science and Technology on Vessel Integrated Power System,Wuhan,China)
,
Jia Yingjie
(Naval University of Engineering, National key Laboratory of Science and Technology on Vessel Integrated Power System,Wuhan,China)
,
Luo Yifei
(Naval University of Engineering, National key Laboratory of Science and Technology on Vessel Integrated Power System,Wuhan,China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ICIBA
ページ:
640-644
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)