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文献
J-GLOBAL ID:202102250507712138   整理番号:21A0066511

動的アバランシェ電気特性を考慮したFS-IGBTの物理モデルとチップ不均一応力の解析【JST・京大機械翻訳】

Physical Model of FS-IGBT Considering Dynamic Avalanche Electrical Characteristics and Analysis of Chip Non-uniform Stress
著者 (3件):
Ma Tianzhao
(Naval University of Engineering, National key Laboratory of Science and Technology on Vessel Integrated Power System,Wuhan,China)
Jia Yingjie
(Naval University of Engineering, National key Laboratory of Science and Technology on Vessel Integrated Power System,Wuhan,China)
Luo Yifei
(Naval University of Engineering, National key Laboratory of Science and Technology on Vessel Integrated Power System,Wuhan,China)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2020  号: ICIBA  ページ: 640-644  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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