文献
J-GLOBAL ID:202102251608057039
整理番号:21A0175363
ハーフインチ単結晶ウエハ上に作製した擬垂直ダイヤモンドSchottky障壁ダイオードにおける高収率均一性【JST・京大機械翻訳】
High yield uniformity in pseudo-vertical diamond Schottky barrier diodes fabricated on half-inch single-crystal wafers
著者 (4件):
Hanada Takanori
(Faculty of Engineering, Hokkaido University, Kita 13, Nishi 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan)
,
Ohmagari Shinya
(Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan)
,
Kaneko Junichi H.
(Faculty of Engineering, Hokkaido University, Kita 13, Nishi 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan)
,
Umezawa Hitoshi
(Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
117
号:
26
ページ:
262107-262107-6
発行年:
2020年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)