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文献
J-GLOBAL ID：202102253270350234
整理番号：21A1146061
大口径ウエハに及ぼす4H-SiCエピタクシーに対する精密温度制御の影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of precise temperature control for 4H-SiC epitaxy on large diameter wafers
Daigo Yoshiaki
(NuFlare Technology, Inc.,TFW Equipment Engineering Department,Yokohama-shi,Japan)
,
Watanabe Toru
(NuFlare Technology, Inc.,TFW Equipment Engineering Department,Yokohama-shi,Japan)
,
Ishiguro Akio
(NuFlare Technology, Inc.,TFW Equipment Engineering Department,Yokohama-shi,Japan)
,
Ishii Shigeaki
(NuFlare Technology, Inc.,TFW Equipment Engineering Department,Yokohama-shi,Japan)
,
Kushibe Mitsuhiro
(NuFlare Technology, Inc.,TFW Equipment Engineering Department,Yokohama-shi,Japan)
,
Moriyama Yoshikazu
(NuFlare Technology, Inc.,TFW Equipment Engineering Department,Yokohama-shi,Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： ISSM ページ： 1-4 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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