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文献
J-GLOBAL ID：202102253511385295
整理番号：21A0598020
大気圧で発生し輸送された水素ラジカルを用いたSiCl4源からの効果的なシリコン生産
Effective silicon production from SiCl4 source using hydrogen radicals generated and transported at atmospheric pressure
Okamoto Yuji
(Widegap Semiconductor Group, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan)
,
Okamoto Yuji
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Sumiya Masatomo
(Widegap Semiconductor Group, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan)
,
Nakamura Yuya
(Widegap Semiconductor Group, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan)
,
Nakamura Yuya
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Suzuki Yoshikazu
(Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
資料名：
Science and Technology of Advanced Materials (Web)
(Science and Technology of Advanced Materials (Web))
巻： 21 号： 1 ページ： 482-491 発行年： 2020年
JST資料番号： U7009A ISSN： 1878-5514 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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