文献
J-GLOBAL ID:202102255872893089
整理番号:21A0985283
7 世代IGBT技術は太陽応用において最高電力密度スタックを可能にする【JST・京大機械翻訳】
7th Generation IGBT technology enables highest power density stack in solar application
著者 (3件):
Hao Xin
(Infineon Techonologies,Shanghhai,China)
,
Ma KwokWai
(Infineon Technologies,Hong, Kong,China)
,
Jia Zhao
(Infineon Techonologies China,Beijing,China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
IPEMC - ECCE Asia
ページ:
2056-2060
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)