文献
J-GLOBAL ID:202102257654459085
整理番号:21A0230546
1.8W出力電力を有する高効率GaN HEMT Eバンド電力増幅器MMIC【JST・京大機械翻訳】
High Efficiency GaN HEMT E-Band Power Amplifier MMIC with 1.8W Output Power
著者 (4件):
Xu Peng
(Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry Hangzhou Dianzi University,Hangzhou,China)
,
Cheng Zhiqun
(Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry Hangzhou Dianzi University,Hangzhou,China)
,
Zhang ZhiWei
(Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry Hangzhou Dianzi University,Hangzhou,China)
,
Meng MingWen
(Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry Hangzhou Dianzi University,Hangzhou,China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ICICM
ページ:
130-133
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)