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文献
J-GLOBAL ID：202102258394691753
整理番号：21A0166525
RFマグネトロン蒸着n-SiIn_2O_3:Er膜のナノワイヤ構造,光学特性および伝導バンドオフセット【JST・京大機械翻訳】
Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si¥In2O3:Er films.
Feklistov K V
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Feklistov K V
(Academ Infrared LLC, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Lemzyakov A G
(Budker Institute of Nuclear Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Prosvirin I P
(Boreskov Institute of Catalysis SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Gismatulin A A
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Gismatulin A A
(Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Shklyaev A A
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Shklyaev A A
(Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Zhivodkov Y A
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Krivyakin G К
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Krivyakin G К
(Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Komonov A I
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Kozhukhov А S
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Kozhukhov А S
(Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Spesivsev E V
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Gulyaev D V
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Abramkin D S
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Abramkin D S
(Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Pugachev A M
(Institute of Automation and Electrometry SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Esaev D G
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
,
Sidorov G Yu
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
資料名：
Materials Research Express
(Materials Research Express)
巻： 7 号： 12 ページ： 125903 (11pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： W5570A ISSN： 2053-1591 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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