文献
J-GLOBAL ID:202102258462035798
整理番号:21A0034311
Geドープマグネタイト薄膜におけるGe原子周辺の局所構造【JST・京大機械翻訳】
The local structure around Ge atoms in Ge-doped magnetite thin films
著者 (4件):
Shinoda Kozo
( Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
,
Abe Seishi
( Research Institute for Electromagnetic Materials, Tomiya, Miyagi 981-3341, Japan)
,
Sugiyama Kazumasa
( Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
,
Waseda Yoshio
( Research Institute for Electromagnetic Materials, Tomiya, Miyagi 981-3341, Japan)
資料名:
High Temperature Materials and Processes
(High Temperature Materials and Processes)
巻:
39
号:
1
ページ:
645-662
発行年:
2020年
JST資料番号:
W0384A
ISSN:
0334-6455
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)