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文献
J-GLOBAL ID：202102259305228894
整理番号：21A1958869
GaN自己スイッチングダイオードの低温における表面電荷のBias依存性【JST・京大機械翻訳】
Bias-dependence of surface charge at low temperature in GaN Self-Switching Diodes
Perez-Martin E.
(University of Salamanca Plaza de la Merced s/n,Applied physics Department,Salamanca,Spain,37008)
,
Iniguez-de-la-Torre I.
(University of Salamanca Plaza de la Merced s/n,Applied physics Department,Salamanca,Spain,37008)
,
Gonzalez T.
(University of Salamanca Plaza de la Merced s/n,Applied physics Department,Salamanca,Spain,37008)
,
Gaquiere C.
(Institut d’Electronique de Microe ́lectronique et de Nanotechnologie, University of Lille,Lille,France)
,
Mateos J.
(University of Salamanca Plaza de la Merced s/n,Applied physics Department,Salamanca,Spain,37008)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2021 号： CDE ページ： 90-93 発行年： 2021年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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