文献
J-GLOBAL ID:202102259842525476
整理番号:21A0033398
新しい高移動度と深いHOMOレベル正孔輸送層を有する良好な電荷平衡反転赤色InP/ZnSe/ZnS量子ドット発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】
Good Charge Balanced Inverted Red InP/ZnSe/ZnS-Quantum Dot Light-Emitting Diode with New High Mobility and Deep HOMO Level Hole Transport Layer
著者 (7件):
Yeom Ji Eun
(Department of Information Display, Kyung Hee University, Republic of Korea)
,
Shin Dong Hyun
(Department of Information Display, Kyung Hee University, Republic of Korea)
,
Lampande Raju
(Department of Information Display, Kyung Hee University, Republic of Korea)
,
Jung Young Hun
(Department of Information Display, Kyung Hee University, Republic of Korea)
,
Mude Nagarjuna Naik
(Department of Information Display, Kyung Hee University, Republic of Korea)
,
Park Jung Hwan
(Duksan Neolux Co., Ltd., Chungcheongnam-do, Republic of Korea)
,
Kwon Jang Hyuk
(Department of Information Display, Kyung Hee University, Republic of Korea)
資料名:
ACS Energy Letters
(ACS Energy Letters)
巻:
5
号:
12
ページ:
3868-3875
発行年:
2020年
JST資料番号:
W5040A
ISSN:
2380-8195
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)