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文献
J-GLOBAL ID：202102259842525476
整理番号：21A0033398
新しい高移動度と深いHOMOレベル正孔輸送層を有する良好な電荷平衡反転赤色InP/ZnSe/ZnS量子ドット発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】
Good Charge Balanced Inverted Red InP/ZnSe/ZnS-Quantum Dot Light-Emitting Diode with New High Mobility and Deep HOMO Level Hole Transport Layer
Yeom Ji Eun
(Department of Information Display, Kyung Hee University, Republic of Korea)
,
Shin Dong Hyun
(Department of Information Display, Kyung Hee University, Republic of Korea)
,
Lampande Raju
(Department of Information Display, Kyung Hee University, Republic of Korea)
,
Jung Young Hun
(Department of Information Display, Kyung Hee University, Republic of Korea)
,
Mude Nagarjuna Naik
(Department of Information Display, Kyung Hee University, Republic of Korea)
,
Park Jung Hwan
(Duksan Neolux Co., Ltd., Chungcheongnam-do, Republic of Korea)
,
Kwon Jang Hyuk
(Department of Information Display, Kyung Hee University, Republic of Korea)
資料名：
ACS Energy Letters
(ACS Energy Letters)
巻： 5 号： 12 ページ： 3868-3875 発行年： 2020年
JST資料番号： W5040A ISSN： 2380-8195 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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