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文献
J-GLOBAL ID：202102260262519917
整理番号：21A0992171
I-V特性をもつAlGaN/GaN HFETの物理ベースコンパクトモデルへの分極Coulomb場散乱の応用【JST・京大機械翻訳】
Application of Polarization Coulomb Field Scattering to a Physics-Based Compact Model for AlGaN/GaN HFETs with I-V Characteristics
Yang Yongxiong
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
,
Lv Yuanjie
(National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Shijiazhuang 050051, China)
,
Lin Zhaojun
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
,
Jiang Guangyuan
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
,
Liu Yang
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
資料名：
Electronics (Web)
(Electronics (Web))
巻： 9 号： 10 ページ： 1719 発行年： 2020年
JST資料番号： U7178A ISSN： 2079-9292 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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