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文献
J-GLOBAL ID：202102263913135300
整理番号：21A0515228
全固体スーパーキャパシタのための新しいNi_3Si_2/NiOOH/グラフェンナノ構造の優れた擬容量貯蔵【JST・京大機械翻訳】
Superior Pseudocapacitive Storage of a Novel Ni3Si2/NiOOH/Graphene Nanostructure for an All?Solid?State Supercapacitor
Jing Ning
(THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN)
,
Maoyang Xia
(THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN)
,
Dong Wang
(THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN)
,
Xin Feng
(THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN)
,
Hong Zhou
(THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN)
,
Jincheng Zhang
(THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN)
,
Yue Hao
(THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN)
資料名：
Nawei Kuaibao (Yingwen)
(Nawei Kuaibao (Yingwen))
巻： 13 号： 1 ページ： 15-28 発行年： 2021年
JST資料番号： C4165A ISSN： 2311-6706 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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