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文献
J-GLOBAL ID：202102264737558535
整理番号：21A0182075
選択的フォトニック不活性化によるSn-Pbバイナリー取り込みにより可能となった無機ペロブスカイト/a-InGaZnOフォトトランジスタの増強された電気光学性能【JST・京大機械翻訳】
Enhanced Electro-Optical Performance of Inorganic Perovskite/a-InGaZnO Phototransistors Enabled by Sn-Pb Binary Incorporation with a Selective Photonic Deactivation
Jo Chanho
(Department of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea)
,
Lee Seojun
(School of Energy Systems Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea)
,
Kim Jaehyun
(Department of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea)
,
Heo Jae Sang
(Department of Medicine, University of Connecticut School of Medicine, Connecticut, United States)
,
Kang Dong-Won
(School of Energy Systems Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea)
,
Park Sung Kyu
(Department of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12 号： 52 ページ： 58038-58048 発行年： 2020年
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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