文献
J-GLOBAL ID:202102264737558535
整理番号:21A0182075
選択的フォトニック不活性化によるSn-Pbバイナリー取り込みにより可能となった無機ペロブスカイト/a-InGaZnOフォトトランジスタの増強された電気光学性能【JST・京大機械翻訳】
Enhanced Electro-Optical Performance of Inorganic Perovskite/a-InGaZnO Phototransistors Enabled by Sn-Pb Binary Incorporation with a Selective Photonic Deactivation
著者 (6件):
Jo Chanho
(Department of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea)
,
Lee Seojun
(School of Energy Systems Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea)
,
Kim Jaehyun
(Department of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea)
,
Heo Jae Sang
(Department of Medicine, University of Connecticut School of Medicine, Connecticut, United States)
,
Kang Dong-Won
(School of Energy Systems Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea)
,
Park Sung Kyu
(Department of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
12
号:
52
ページ:
58038-58048
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)