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文献
J-GLOBAL ID：202102265338467147
整理番号：21A1620353
MgドープGa_0.75Al_0.25N(0001)表面の光電子特性に及ぼす残留ガスの影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of residual gas on the optoelectronic properties of Mg-doped Ga0.75Al0.25N (0 0 0 1) surface
Fang Qianglong
(Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
,
Shen Yang
(Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
,
Yang Xiaodong
(Key Laboratory of Ecophysics and Department of Physics, Shihezi University, Xinjiang 832003, China)
,
Yang Xiaodong
(School of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Zhang Shuqin
(Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
,
Chen Liang
(Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
,
Duan Lingze
(Department of Physics, The University of Alabama in Huntsville, Huntsville, AL 35899, USA)
,
Jin Shangzhong
(Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 551 ページ： Null 発行年： 2021年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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