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J-GLOBAL ID:202102265338467147   整理番号:21A1620353

MgドープGa_0.75Al_0.25N(0001)表面の光電子特性に及ぼす残留ガスの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of residual gas on the optoelectronic properties of Mg-doped Ga0.75Al0.25N (0 0 0 1) surface
著者 (8件):
Fang Qianglong
(Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
Shen Yang
(Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
Yang Xiaodong
(Key Laboratory of Ecophysics and Department of Physics, Shihezi University, Xinjiang 832003, China)
Yang Xiaodong
(School of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
Zhang Shuqin
(Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
Chen Liang
(Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
Duan Lingze
(Department of Physics, The University of Alabama in Huntsville, Huntsville, AL 35899, USA)
Jin Shangzhong
(Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China)

資料名:
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

巻: 551  ページ: Null  発行年: 2021年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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