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J-GLOBAL ID：202102265922303029 整理番号：21A0696678

選択成長を用いたGe-on-Si(111)基板上への高品質な歪みSiGe層の作製

Fabrication of high quality strained SiGe on Ge-on-Si(111) by selective growth

著者 (8件)：

我妻勇哉

(東京都市大総合研)

ALAM Md. Mahfuz

(東京都市大総合研)

ALAM Md. Mahfuz

(Univ. of Barisal)

岡田和也

(東京都市大総合研)

星裕介

(東京都市大総合研)

山田道洋

(阪大基礎工 CSRN)

浜屋宏平

(阪大基礎工 CSRN)

澤野憲太郎

(東京都市大総合研)

資料名：

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

巻： 81st ページ： ROMBUNNO.9p-Z12-14 発行年： 2020年08月26日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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