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文献
J-GLOBAL ID：202102266528485981
整理番号：21A0577200
デバイス構造に依存するトンネル電界効果トランジスタにおける仕事関数変動効果の解析【JST・京大機械翻訳】
Analysis of Work-Function Variation Effects in a Tunnel Field-Effect Transistor Depending on the Device Structure
Kim Garam
(Department of Electronic Engineering, Myongji University, Yongin 17058, Korea)
,
Kim Jang Hyun
(School of Electrical Engineering, Pukyong National University, 45 Yongso-ro, Nam-gu, Busan 608-737, Korea)
,
Kim Jaemin
(Department of Electronic Engineering, Myongji University, Yongin 17058, Korea)
,
Kim Sangwan
(Department of Electrical and Computer Engineering, Ajou University, Suwon 16499, Korea)
資料名：
Applied Sciences (Web)
(Applied Sciences (Web))
巻： 10 号： 15 ページ： 5378 発行年： 2020年
JST資料番号： U7135A ISSN： 2076-3417 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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