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文献
J-GLOBAL ID：202102266587143337
整理番号：21A0182030
高圧アニーリングプロセスと組み込みBias工学による優れた信頼性と高速反強誘電性HfZrO_2トンネル接合【JST・京大機械翻訳】
Excellent Reliability and High-Speed Antiferroelectric HfZrO2 Tunnel Junction by a High-Pressure Annealing Process and Built-In Bias Engineering
Goh Youngin
(School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Korea)
,
Hwang Junghyeon
(School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Korea)
,
Jeon Sanghun
(School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Korea)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12 号： 51 ページ： 57539-57546 発行年： 2020年
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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