文献
J-GLOBAL ID:202102266587143337
整理番号:21A0182030
高圧アニーリングプロセスと組み込みBias工学による優れた信頼性と高速反強誘電性HfZrO_2トンネル接合【JST・京大機械翻訳】
Excellent Reliability and High-Speed Antiferroelectric HfZrO2 Tunnel Junction by a High-Pressure Annealing Process and Built-In Bias Engineering
著者 (3件):
Goh Youngin
(School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Korea)
,
Hwang Junghyeon
(School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Korea)
,
Jeon Sanghun
(School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Korea)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
12
号:
51
ページ:
57539-57546
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)