文献
J-GLOBAL ID:202102267462053213
整理番号:21A1683616
C注入構造のSiO_2/Si界面へのSiO_2におけるC移動の証拠【JST・京大機械翻訳】
Evidence of C migration in the SiO2 to the SiO2/Si interface of C-implanted structures
著者 (3件):
Ribas E.
(Instituto de Fisica, Laboratorios de Microeletronica e Implantacao Ionica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS), Porto Alegre, 91501-970, RS, Brazil)
,
Ribas E.
(Instituto Federal Sul-rio-grandense (IFSul), Charqueadas, 96745-000, RS, Brazil)
,
Maltez R.L.
(Instituto de Fisica, Laboratorios de Microeletronica e Implantacao Ionica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS), Porto Alegre, 91501-970, RS, Brazil)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
730
ページ:
Null
発行年:
2021年
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)