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文献
J-GLOBAL ID：202102269837176209
整理番号：21A0361848
Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション-物理モデルの検討と実測結果との比較-
Three-Dimensional Device Simulation of Si IGBTs-Investigation of physical models and comparisons with measurements-
執行直之
(東京工大)
,
渡辺正裕
(東京工大)
,
角嶋邦之
(東京工大)
,
星井拓也
(東京工大)
,
古川和由
(東京工大)
,
中島昭
(産業技術総合研)
,
佐藤克己
(三菱電機)
,
末代知子
(東芝デバイス&ストレージ)
,
更屋拓哉
(東大 生産技研)
,
高倉俊彦
(東大 生産技研)
,
伊藤一夫
(東大 生産技研)
,
福井宗利
(東大 生産技研)
,
鈴木慎一
(東大 生産技研)
,
竹内潔
(東大 生産技研)
,
宗田伊里也
(東京工大)
,
若林整
(東京工大)
,
西澤伸一
(九大)
,
筒井一生
(東京工大)
,
平本俊郎
(東大 生産技研)
,
大橋弘通
(東京工大)
,
岩井洋
(東京工大)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告(Web)
(IEICE Technical Report (Web))
巻： 120 号： 239(SDM2020 22-34) ページ： 36-40 (WEB ONLY) 発行年： 2020年11月12日
JST資料番号： U2030A ISSN： 2432-6380 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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