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文献
J-GLOBAL ID:202102269837176209   整理番号:21A0361848

Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション-物理モデルの検討と実測結果との比較-

Three-Dimensional Device Simulation of Si IGBTs-Investigation of physical models and comparisons with measurements-
著者 (21件):
執行直之
(東京工大)
渡辺正裕
(東京工大)
角嶋邦之
(東京工大)
星井拓也
(東京工大)
古川和由
(東京工大)
中島昭
(産業技術総合研)
佐藤克己
(三菱電機)
末代知子
(東芝デバイス&ストレージ)
更屋拓哉
(東大 生産技研)
高倉俊彦
(東大 生産技研)
伊藤一夫
(東大 生産技研)
福井宗利
(東大 生産技研)
鈴木慎一
(東大 生産技研)
竹内潔
(東大 生産技研)
宗田伊里也
(東京工大)
若林整
(東京工大)
西澤伸一
(九大)
筒井一生
(東京工大)
平本俊郎
(東大 生産技研)
大橋弘通
(東京工大)
岩井洋
(東京工大)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))

巻: 120  号: 239(SDM2020 22-34)  ページ: 36-40 (WEB ONLY)  発行年: 2020年11月12日 
JST資料番号: U2030A  ISSN: 2432-6380  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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