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文献
J-GLOBAL ID：202102272555973529
整理番号：21A0150002
漏れ電流機構に基づく統一4H-SIC MosfetsTDDB寿命モデル【JST・京大機械翻訳】
A Unified 4H-SIC Mosfets TDDB Lifetime Model Based on Leakage Current Mechanism
Chen Hua
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China)
,
Zhao Pan
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China)
,
Liu Jiahao
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China)
,
Su Yusen
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China)
,
Zheng Tuo
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China)
,
Ni Hao
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China)
,
He Liang
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： CSTIC ページ： 1-3 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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