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文献
J-GLOBAL ID：202102273187740771
整理番号：21A0158106
原子トンネリング状態を除去するための電子ビーム蒸着とスパッタリングにより作製した非晶質シリコンの比較【JST・京大機械翻訳】
Comparing amorphous silicon prepared by electron-beam evaporation and sputtering toward eliminating atomic tunneling states
Liu Xiao
(Naval Research Laboratory, Code 7130, Washington, D.C., 20375, USA)
,
Abernathy Matthew R.
(Naval Research Laboratory, Code 7130, Washington, D.C., 20375, USA)
,
Metcalf Thomas H.
(Naval Research Laboratory, Code 7130, Washington, D.C., 20375, USA)
,
Jugdersuren Battogtokh
(Jacobs Engineering Group, Hanover, MD, 21076, USA)
,
Culbertson James C.
(Naval Research Laboratory, Code 7130, Washington, D.C., 20375, USA)
,
Molina-Ruiz Manel
(Department of Physics, University of California Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA)
,
Hellman Frances
(Department of Physics, University of California Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 855 号： P2 ページ： Null 発行年： 2021年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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