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文献
J-GLOBAL ID：202102273374987339
整理番号：21A2981111
SiC MOSFETの高速かつ正確な過渡シミュレーションのためのハイブリッドデータ駆動モデリング方法論【JST・京大機械翻訳】
Hybrid Data-Driven Modeling Methodology for Fast and Accurate Transient Simulation of SiC MOSFETs
Yang Peng
(School of Engineering, Cardiff University, Cardiff, U.K.)
,
Ming Wenlong
(School of Engineering, Cardiff University, Cardiff, U.K.)
,
Liang Jun
(School of Engineering, Cardiff University, Cardiff, U.K.)
,
Ludtke Ingo
(Compound Semiconductor Applications Catapult, Newport, U.K.)
,
Berry Steve
(Compound Semiconductor Applications Catapult, Newport, U.K.)
,
Floros Konstantinos
(Compound Semiconductor Applications Catapult, Newport, U.K.)
資料名：
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 37 号： 1 ページ： 440-451 発行年： 2022年
JST資料番号： D0211B ISSN： 0885-8993 CODEN： ITPEE8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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