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文献
J-GLOBAL ID：202102274046554265
整理番号：21A0175329
熱プロセスにおける核形成と相転移によるSiドープHfO_2の強誘電相形成の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】
A first-principles study on ferroelectric phase formation of Si-doped HfO2 through nucleation and phase transition in thermal process
Wu Jixuan
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Mo Fei
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Saraya Takuya
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Hiramoto Toshiro
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Kobayashi Masaharu
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 117 号： 25 ページ： 252904-252904-5 発行年： 2020年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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