文献
J-GLOBAL ID:202102274046554265
整理番号:21A0175329
熱プロセスにおける核形成と相転移によるSiドープHfO_2の強誘電相形成の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】
A first-principles study on ferroelectric phase formation of Si-doped HfO2 through nucleation and phase transition in thermal process
著者 (5件):
Wu Jixuan
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Mo Fei
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Saraya Takuya
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Hiramoto Toshiro
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Kobayashi Masaharu
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
117
号:
25
ページ:
252904-252904-5
発行年:
2020年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)