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文献
J-GLOBAL ID：202102275562926493
整理番号：21A1747538
2DEGチャネルとパターン形成基板を持つ新規GaNナノピラー垂直電界効果トランジスタ(FET)のBaliga指数-Of-Merits(BFOM)増強について【JST・京大機械翻訳】
On the Baliga’s Figure-Of-Merits (BFOM) Enhancement of a Novel GaN Nano-Pillar Vertical Field Effect Transistor (FET) with 2DEG Channel and Patterned Substrate
Wang Zeheng
(School of Information and Software Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China)
,
Wang Zirui
(School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China)
,
Zhang Zhenwei
(School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China)
,
Yang Di
(School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China)
,
Yao Yuanzhe
(School of Information and Software Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China)
資料名：
Nanoscale Research Letters (Web)
(Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 14 号： 1 ページ： 1-10 発行年： 2019年
JST資料番号： U8336A ISSN： 1556-276X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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