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文献
J-GLOBAL ID：202102276390659222
整理番号：21A1264074
高品質InAs/AlAs/InAsSb超格子に基づく中波長赤外光検出器のMBE成長【JST・京大機械翻訳】
MBE growth of mid-wavelength infrared photodetectors based on high quality InAs/AlAs/InAsSb superlattice
Jiang Jun-Kai
(State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Li Yong
(State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Chang Fa-Ran
(State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Cui Su-Ning
(State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Chen Wei-Qiang
(State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Jiang Dong-Wei
(State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Jiang Dong-Wei
(College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 101408, China)
,
Jiang Dong-Wei
(Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Wang Guo-Wei
(State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Wang Guo-Wei
(College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 101408, China)
,
Wang Guo-Wei
(Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Xu Ying-Qiang
(State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Xu Ying-Qiang
(College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 101408, China)
,
Xu Ying-Qiang
(Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Niu Zhi-Chuan
(State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Niu Zhi-Chuan
(College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 101408, China)
,
Niu Zhi-Chuan
(Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Niu Zhi-Chuan
(Beijing Academy of Quantum Information Sciences, Beijing 100193, China)
,
Che Ren-chao
(Laboratory of Advanced Materials, Department of Materials Science, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, Fudan University, Shanghai 200438, PR China)
,
Zhang Chuan-jie
(Wuhan Guide Infrared Co., Ltd., Wuhan 430205, China)
,
Huang Li
(Wuhan Guide Infrared Co., Ltd., Wuhan 430205, China)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 564 ページ： Null 発行年： 2021年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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