文献
J-GLOBAL ID:202102276921303162
整理番号:21A0151636
新規トランジスタ劣化モデルを用いた総電離線量誘導SER変動の評価【JST・京大機械翻訳】
Evaluation of Total Ionizing Dose Induced SER Variation Using Novel Transistor Degradation Model
著者 (3件):
Shao Jin-Jin
(College of Computer, National University of Defense Technology,Changsha,Hunan,China,410073)
,
Song Rui-Qiang
(College of Computer, National University of Defense Technology,Changsha,Hunan,China,410073)
,
Zhang Xiao-Yu
(College of Computer, National University of Defense Technology,Changsha,Hunan,China,410073)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ICSICT
ページ:
1-3
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)