文献
J-GLOBAL ID:202102276993461071
整理番号:21A0005549
300mmSi基板上の高kAl_2O_3/In_0.53Ga_0.47Asの界面トラップと境界トラップ密度の量子力学的効果の包括的解析【JST・京大機械翻訳】
Comprehensive Analysis of Quantum Mechanical Effects of Interface Trap and Border Trap Densities of High-k Al2O3/In0.53Ga0.47As on a 300-mm Si Substrate
著者 (3件):
Amir Walid
(School of Electrical Engineering, University of Ulsan, Ulsan, South Korea)
,
Kim Dae-Hyun
(School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
,
Kim Tae-Woo
(School of Electrical Engineering, University of Ulsan, Ulsan, South Korea)
資料名:
IEEE Access
(IEEE Access)
巻:
8
ページ:
211464-211473
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2422A
ISSN:
2169-3536
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)