文献
J-GLOBAL ID:202102278213925294
整理番号:21A0151774
サブ60mV/decサブスレッショルドスイングと高イオン/Ioff比を持つ電荷プラズマベース負性容量無接合トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
Charge-plasma Based Negative Capacitance Junctionless Transistor With Sub-60mV/dec Subthreshold Swing and High Ion/IoffRatio
著者 (4件):
Li Long-Fei
(The Shenzhen Key Lab of Advanced Electron Device and Integration, ECE, PKUSZ,Shenzhen,China,518055)
,
Chin Hung-Chih
(Semiconductor Manufacturing International (Shenzhen) Corporation,Shenzhen,P.R.China,518118)
,
Zhang Lining
(The Shenzhen Key Lab of Advanced Electron Device and Integration, ECE, PKUSZ,Shenzhen,China,518055)
,
Lin Xinnan
(The Shenzhen Key Lab of Advanced Electron Device and Integration, ECE, PKUSZ,Shenzhen,China,518055)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ICSICT
ページ:
1-3
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)