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文献
J-GLOBAL ID：202102278945263392
整理番号：21A1409942
放射線硬化0.18μm CMOSプロセスのためのGGNMOS ESD保護装置の設計【JST・京大機械翻訳】
Design of GGNMOS ESD protection device for radiation-hardened 0.18μm CMOS process
Jianwei Wu
(THE 58TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION,WUXI 214035,CHINA)
,
Zongguang Yu
(THE 58TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION,WUXI 214035,CHINA)
,
Genshen Hong
(THE 58TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION,WUXI 214035,CHINA)
,
Rubin Xie
(THE 58TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION,WUXI 214035,CHINA)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 41 号： 12 ページ： 52-59 発行年： 2020年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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