文献
J-GLOBAL ID:202102278945263392
整理番号:21A1409942
放射線硬化0.18μm CMOSプロセスのためのGGNMOS ESD保護装置の設計【JST・京大機械翻訳】
Design of GGNMOS ESD protection device for radiation-hardened 0.18μm CMOS process
著者 (4件):
Jianwei Wu
(THE 58TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION,WUXI 214035,CHINA)
,
Zongguang Yu
(THE 58TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION,WUXI 214035,CHINA)
,
Genshen Hong
(THE 58TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION,WUXI 214035,CHINA)
,
Rubin Xie
(THE 58TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION,WUXI 214035,CHINA)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
41
号:
12
ページ:
52-59
発行年:
2020年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)