文献
J-GLOBAL ID:202102282099657751
整理番号:21A0457393
HBr+O_2混合物のプラズマ中のSiとSiO_2の反応性イオンエッチングの速度論と機構【JST・京大機械翻訳】
Kinetics and Mechanisms of Reactive-Ion Etching of Si and SiO2 in a Plasma of a Mixture of HBr + O2
著者 (4件):
Efremov A. M.
(Ivanovo State University of Chemistry and Technology, Ivanovo, Russia)
,
Efremov A. M.
(Scientific Research Institute of System Analysis, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia)
,
Betelin V. B.
(Scientific Research Institute of System Analysis, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia)
,
Kwon K.-H.
(Korea University, Sejong, South Korea)
資料名:
Russian Microelectronics
(Russian Microelectronics)
巻:
49
号:
6
ページ:
379-384
発行年:
2020年
JST資料番号:
W4926A
ISSN:
1063-7397
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)