文献
J-GLOBAL ID:202102283860071548
整理番号:21A0565741
改良された高周波FOMを有する垂直GaNスプリットゲートトレンチMOSFET【JST・京大機械翻訳】
Vertical GaN Split Gate Trench MOSFET with Improved High Frequency FOM
著者 (3件):
Jaiswal Nilesh Kumar
(Vellore Institute of Technology,Micro and nanoelectronics,Vellore,India)
,
Ramakrishnan V. N.
(Vellore Institute of Technology,Micro and nanoelectronics,Vellore,India)
,
Roy Sukhendu Deb
(Indian Institute of Science,TBI, CeNSE,Bengaluru,India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
INDICON
ページ:
1-5
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)