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文献
J-GLOBAL ID：202102284441522441
整理番号：21A3314363
Manningポテンシャルを持つ二重GaAs/AlGaAs量子井戸に対する外部場の効果【JST・京大機械翻訳】
The effects of external fields on double GaAs/AlGaAs quantum well with Manning potential
Kasapoglu E.
(Faculty of Science, Department of Physics, Sivas Cumhuriyet University, 58140 Sivas, Turkey)
,
Duque C.A.
(Grupo de Materia Condensada-UdeA, Instituto de Fisica, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia UdeA, Calle 70 No. 52-21, Medellin, Colombia)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 137 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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