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J-GLOBAL ID：202102285388652821 整理番号：21A0993176

3LC相変化メモリの記憶密度を改善するための誤り脆弱性パターンを意識した2値データマッピング【JST・京大機械翻訳】

Error-Vulnerable Pattern-Aware Binary-to-Ternary Data Mapping for Improving Storage Density of 3LC Phase Change Memory

著者 (4件)：

Hong Jeong Beom

(Department of Semiconductor and Display Engineering, College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16410, Korea)

Lee Young Sik

(Department of Electrical and Computer Engineering, College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16410, Korea)

Kim Yong Wook

(Department of Electrical and Computer Engineering, College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16410, Korea)

Han Tae Hee

(Department of Artificial Intelligence, Sungkyunkwan University, Suwon 16410, Korea)

資料名：

Electronics (Web) (Electronics (Web))

巻： 9 号： 4 ページ： 626 発行年： 2020年
JST資料番号： U7178A ISSN： 2079-9292 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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