文献
J-GLOBAL ID:202102285801109607
整理番号:21A0346205
CH_4/H_2/Arプラズマ雰囲気中でのPbSe薄膜の反応性イオンエッチング【JST・京大機械翻訳】
Reactive ion etching of PbSe thin films in CH4/H2/Ar plasma atmosphere
著者 (3件):
Yang Gang
(Microfabrication Research and Education Center, University of Oklahoma, Norman, OK73019, USA)
,
Weng Binbin
(Microfabrication Research and Education Center, University of Oklahoma, Norman, OK73019, USA)
,
Weng Binbin
(School of Electrical and Computer Engineering, University of Oklahoma, Norman, OK73019, USA)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
124
ページ:
Null
発行年:
2021年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)