文献
J-GLOBAL ID:202102285884519223
整理番号:21A0672532
p-GaNゲートHEMTの閾値電圧に対する物理的電荷ベースモデル【JST・京大機械翻訳】
A physical Charge-based Model for threshold voltage of p-GaN Gate HEMTs
著者 (5件):
Xia Ying
(Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou)
,
Liu Jun
(Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou)
,
Wang Jie
(Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou)
,
Ma Shuqi
(Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou)
,
Wang Jinye
(Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
NEMO
ページ:
1-4
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)