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文献
J-GLOBAL ID：202102285884519223
整理番号：21A0672532
p-GaNゲートHEMTの閾値電圧に対する物理的電荷ベースモデル【JST・京大機械翻訳】
A physical Charge-based Model for threshold voltage of p-GaN Gate HEMTs
Xia Ying
(Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou)
,
Liu Jun
(Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou)
,
Wang Jie
(Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou)
,
Ma Shuqi
(Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou)
,
Wang Jinye
(Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： NEMO ページ： 1-4 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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