文献
J-GLOBAL ID:202102286226623809
整理番号:21A0894829
GaNデバイスに基づく両面冷却パワーモジュールの寄生容量特性評価【JST・京大機械翻訳】
Parasitic Capacitances Characterization of Double-Sided Cooling Power Module Based on GaN Devices
著者 (5件):
Li Bingyang
(Xi’an Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Xi’an,China)
,
Wang Kangping
(Xi’an Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Xi’an,China)
,
Zhu Hongkeng
(Xi’an Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Xi’an,China)
,
Yang Xu
(Xi’an Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Xi’an,China)
,
Wang Laili
(Xi’an Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Xi’an,China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
WiPDA Asia
ページ:
1-5
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)