文献
J-GLOBAL ID:202102287531001152
整理番号:21A0984288
GaN技術のためのHEMTデバイスパラメータの正確な統計的抽出のためのY関数ベース方法論【JST・京大機械翻訳】
Y-Function Based Methodology for Accurate Statistical Extraction of HEMT Device Parameters for GaN Technology
著者 (11件):
Kammeugne Romeo Kom
(CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000)
,
Leroux Charles
(CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000)
,
Cluzel Jacques
(CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000)
,
Vauche Laura
(CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000)
,
Le Royer Cyrille
(CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000)
,
Gwoziecki Romain
(CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000)
,
Biscarrat Jerome
(CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000)
,
Gaillard Fred
(CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000)
,
Charles Matthew
(CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000)
,
Bano Edwige
(IMEP-LAHC, MINATEC/INPG, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,38016)
,
Ghibaudo Gerard
(IMEP-LAHC, MINATEC/INPG, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,38016)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
EUROSOI-ULIS
ページ:
1-4
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)