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文献
J-GLOBAL ID：202102287998322898
整理番号：21A0298564
低周波雑音に基づく繰返し非クランプ誘導スイッチング応力下のEモードGaN高電子移動度トランジスタの電気的パラメータ劣化と回復に関する研究【JST・京大機械翻訳】
Investigations on electrical parameters degradation and recovery of E-mode GaN high-electron mobility transistors under repetitive unclamped inductive switching stresses based on low-frequency noise
Xu X B
(School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China)
,
Li B
(School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China)
,
Chen Y Q
(Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, Guangzhou 510610, People’s Republic of China)
,
Wu Z H
(School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, People’s Republic of China)
,
He Z Y
(Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, Guangzhou 510610, People’s Republic of China)
,
En Y F
(Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, Guangzhou 510610, People’s Republic of China)
,
Huang Y
(Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, Guangzhou 510610, People’s Republic of China)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 36 号： 2 ページ： 025014 (7pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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