文献
J-GLOBAL ID:202102288504661025
整理番号:21A1577528
InGaZnO/SiO_2標準薄膜トランジスタの熱電特性に及ぼすゲート電圧の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of Gate Voltage on the Thermoelectric Properties of an InGaZnO/SiO2 Standard Thin Film Transistor
著者 (4件):
FELIZCO Jenichi Clairvaux
(NAIST)
,
UENUMA Mutsunori
(NAIST)
,
FUJII Mami N.
(NAIST)
,
URAOKA Yukiharu
(NAIST)
資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻:
68th
ページ:
ROMBUNNO.19p-P04-1
発行年:
2021年02月26日
JST資料番号:
Y0054B
ISSN:
2436-7613
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)